由於AI服務器針對高頻寬記憶體(HBM)的龐大需求，記憶體制造商不得不將資源優先投入HBM的生產。這種資源集中導致了對標準型DRAM的排擠效應，進而造成個人電腦、筆記型電腦、智慧型手機及通用伺服器所需的標準型DRAM供應短缺。為此，全球第二大記憶體制造商SK海力士(SK
Hynix)正採取積極、全面擴大標準型DRAM的生產規模的行動。
根據韓國超鮮日報的報道，SK海力士的目標是擴大晶圓廠產能並調整產線配置，使2026年的標準型DRAM供應量預計比2025年增加超過一成。為達成標準型DRAM的大幅增產，SK海力士正積極調整其主要晶圓廠M15和M16的生產策略。
報道表示，M16晶圓廠的產能利用率將被提升至提升的同時，針對M15晶圓廠，SK海力士也正在執行一項關鍵的產能轉換計劃。具體來説，部分原來是用於代工業務或生產CMOS圖像感測器(CIS)的生產線，將被重新配置並轉換為DRAM生產線。通過這種策略性的產能調整與擴大，SK海力士希望能夠有效緩解當前標準型DRAM市場的供應緊張局勢。
而雖然SK海力士目前是HBM市場的領導者，擁有高達70%至80%的市佔率，但該公司也明確認知到，標準型DRAM的市場規模遠大於HBM。因此，在鞏固其在AI記憶體領先地位的同時，滿足標準型DRAM的龐大市場需求，成為公司戰略的重心。
另外，SK海力士的積極擴產行動，也是力爭記憶體市場領導地位的表現。該公司的目標是在2025年達到DRAM市場市佔率第一的目標。然而，市場競爭對手的三星也積極回應。三星同樣採取了擴大DRAM產能的策略廠。該公司正在充分利用其P3替代工廠的產能，並計劃實現P4直接增加記憶體產能，從而顯着增加其記憶體產能。
由於SK海力士與三星半導體記憶體廠商的積極擴產，市場分析普遍預計，2026年全球DRAM供應量將達到兩個數字的增長。其中，在資本支出方面，SK海力士曾於2021年做出承諾，計劃在2022年至2027年期間投入高達106.2兆韓圜的資金。雖然2025年的資本支出財務計劃即將調整，但該公司對於2024年和2025年的記憶體相關投資承諾仍然堅定，這也説明DRAM擴產提供了強有力的力支持。
總結來看，在AI與HBM引領高階市場的同時，SK海力士產能調整與投資擴大，顯示出其仍未放棄更為廣泛的通用型DRAM市場，這使得記憶體雙雄的市佔率爭奪戰將持續上漲。
本文轉載自微信公眾號"半導體行業觀察"，智通財經編輯：莊禮佳。
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