美光科技 (MU.US) 財報前，瑞銀 (UBS) 發表了樂觀預測及評估，其核心觀點是：記憶體產業正迎來結構性轉變，且傳統 DDR 記憶體將因 HBM 產能擠壓，而成為新的主要獲利引擎。
瑞銀重申了對美光科技的「買入」(Buy) 評級，並將目標價維持在 275.00 美元。瑞銀認為，目前的供需格局為美光提供了極為有利的風險收益比。
瑞銀分析指出，由於全球人工智慧 (AI) 浪潮席捲，產業正在將大部分新增產能大規模分配給 HBM，這導致傳統 DRAM 市場供應持續收緊。在此背景下，傳統 DRAM 的需求保持穩健，供需錯配推動其定價能力顯著增強。與此同時，HBM 由於技術複雜度及良率挑戰，其成本下降速度有所放緩。
這種供需錯配預計將在 2026 財年第二季引發歷史性的利潤結構倒掛。瑞銀預測，屆時傳統 DRAM 的毛利率將達到 67%，首次超越 HBM 的 62%。此一優勢將持續擴大，預計在第三季，傳統 DRAM 毛利率將達 71%，第四季更將攀升至 75%。
在 2026 財年第一季，雖然傳統 DRAM 出貨量僅較前季增長 1%，但平均售價 (ASP) 已大漲 16%，推動傳統 DRAM 毛利率預計達到 60%，與 HBM 的 63% 差距已急劇收窄。
瑞銀進一步強調，HBM 對晶圓產能的巨大消耗，實質上對傳統儲存市場形成了強烈的「擠出效應」。分析師因此重申了長期持有的觀點，認為本輪半導體周期的結構性持久性將遠超市場預期，因為全行業直到 2027 年的大部分產能增量，都將流向 HBM 生產。
基於定價能力的提升，瑞銀對於美光短期的業績預測也遠比管理層指引和市場共識更為樂觀。瑞銀模型顯示，美光 2026 財年第一季度 (截至 11 月) 營收將達 132 億美元，每股盈餘 (EPS) 為 4.27 美元，此增長幾乎完全由更好的價格所驅動。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網