美光科技 (MU.US) 正將 AI 驅動的記憶體需求熱潮，轉化為一場橫跨五大洲的產能擴張行動。
受強勁業績展望激勵，美光股價週二（26 日）暴漲 19%，市值叩關 1 兆美元大關，並以歷史收盤新高作收，創下今年來第 28 個歷史峰值。
管理層同步預警，記憶體市場供給偏緊的局面將延續至 2026 年以後，並正加速推進全球建廠計畫，大部分新產能預計從 2027 年起陸續投產，擴張版圖一路延伸至 2030 年，涵蓋 DRAM、HBM 及 NAND 多條產品線。
美國本土：愛達荷、紐約錨定先進製程，維吉尼亞擴產 DDR4
近期，美光在美國本土的擴產動作明顯提速。5 月 22 日，美光宣布位於維吉尼亞州馬納薩斯的晶圓廠正式啟動 1α（1-alpha）DRAM 量產，主要服務汽車、工業、網路、醫療及國防航太等長生命週期應用領域。
TrendForce 分析指出，馬納薩斯 Fab 6 的擴產主要反映美光內部產能重新分配，不代表其重新聚焦消費性電子 DDR4 供應，並預計月投片量預計在 2027 年第四季達到 2026 年第二季水準的 1.5 倍，1α製程的量產時間則預計在 2026 年底前後。
先進製程方面，核心布局集中於愛達荷州與紐約州。美光管理層在摩根大通科技年會上透露，愛達荷 Idaho 1 廠晶圓產出時間已從 2027 年下半年提前至年中；Idaho 2 廠則預計 2028 年底投產。
美光並表示，完成兩座愛達荷晶圓廠後，將在美國本土引入先進 HBM 封裝能力。紐約州廠區則已於今年 1 月提前舉行奠基典禮，預計 2030 年開始投產。
日本廣島：斥資逾 96 億美元，HBM 出貨鎖定 2028 年
據《日經》報導，美光計畫投入約 1.5 兆日元（約 96 億美元），在廣島縣東廣島市現有廠區內建設次世代記憶體生產設施，HBM 晶片出貨目標設定於 2028 年前後，建設工程預計今年 5 月啟動。
儘管美光尚未正式確認，但日本當地媒體已記錄到實質性進展，廠區西側約 9.5 公頃土地的開發作業已於今年 3 月展開，現場施工標示顯示工程將持續至 2028 年 2 月。
美光記憶體日本公司亦已於 3 月中旬在西條町新設辦公室，容納約 300 名員工，涵蓋總務、行銷等間接職能部門及工程團隊。
新加坡與台灣：NAND 與 HBM 雙線並進
新加坡正逐漸成為美光擴張 NAND 業務的重要基地。公司今年稍早已於當地舉行新 NAND 晶圓廠動土儀式，預期最快將在 2028 年下半年開始投產。
此外，美光管理層在摩根大通年度會議中透露，新加坡 HBM 高頻寬記憶體設施建設進度符合預期。該計畫已於 2025 年初啟動建設，目標是在 2027 年開始貢獻產能，並與台灣現有 HBM 生產線形成協同效應。
至於台灣佈局方面，美光在完成對力積電 (6770-TW) 銅鑼晶圓廠的收購後，也持續擴大 DRAM 生產規模。
管理層指出，配套建設的雙生晶圓廠預計今年夏季動工；現有銅鑼 P5 廠預計於 2027 年下半年開始帶來具規模的 DRAM 晶圓產出，而新廠則預計自 2028 會計年度起逐步貢獻主要產品出貨。
印度與馬來西亞：後端封測鞏固全球供應鏈
除了前段晶圓製造布局外，美光也正加速強化後段封裝與測試產能，並將印度與馬來西亞視為全球供應鏈中的重要據點。
據悉，美光位於印度薩納德（Sanand）的新廠已於 2026 年 3 月正式啟用，這也象徵印度首座先進記憶體 ATMP（先進封裝、測試、標記與封裝）設施正式投入運作。
《Business Standard》先前曾指出，該廠全面投產後，產能最高可望占美光全球總產出的 10%，並同時支援本地與海外市場需求。
另一方面，在馬來西亞布局方面，根據《The Sun》報導，美光早在 2010 年便於柔佛州麻坡設立當地營運據點，其後業務版圖進一步延伸至檳城，並持續擴充新世代製造能力。
目前，美光馬來西亞廠區主要負責 NAND、DRAM、SSD 與記憶體模組的封裝及測試作業，相關產品廣泛應用於 AI 資料中心、邊緣運算設備等多元 AI 應用領域。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網