8月22日|東芝電子元件與天嶽先進就天嶽先進開發製造的SiC功率半導體用襯底達成基本協議,雙方將開展以下合作:針對SiC功率半導體特性提升與品質改善的技術協作,以及運用合作成果擴大高品質穩定襯底供應的商業合作。